ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TSM250N02DCQ RFG
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Taiwan Semiconductor Corporation
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TSM250N02DCQ RFG-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 5.8A (Tc) 620mW (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
ສິນຄ້າ:
18004 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12899798
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TSM250N02DCQ RFG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Taiwan Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
775pF @ 10V
ພະລັງ - Max
620mW (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-VDFN Exposed Pad
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TDFN (2x2)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TSM250
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
TSM250N02DCQ RFGCT
TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQRFGCT
TSM250N02DCQ RFGCT-DG
TSM250N02DCQRFGDKR
TSM250N02DCQRFGTR
TSM250N02DCQ RFGDKR
TSM250N02DCQ RFGTR-DG
TSM250N02DCQ RFGDKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMN13M9UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
DMN6040SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
DMTH4014LPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 10.6A POWERDI50
